臺積電5nm測試芯片良率達80%,預計明年上半年大規模量產

在IEEE IEDM大會上,臺積電官方給出確鑿數據,稱處于風險試產階段的5nm測試芯片良品率平均已達80%,最高可超過90%。
不過這些芯片相對簡單,如果放到復雜的移動和桌面芯片上,良品率還達不到這么高,但具體數據未公開。
臺積電5nm工藝的測試芯片有兩種,一種是256Mb SRAM,單元面積包括25000平方納米的高電流版本、21000平方納米的高密度版本。
另一種綜合了SRAM、CPU/GPU邏輯單元、IO單元,面積占比分別為30%、60%、10%,總面積估計大約17.92平方毫米。
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