臺積電5nm測試芯片良率達80%，預計明年上半年大規模量產
在IEEE IEDM大會上，臺積電官方給出確鑿數據，稱處于風險試產階段的5nm測試芯片良品率平均已達80%，最高可超過90%。
不過這些芯片相對簡單，如果放到復雜的移動和桌面芯片上，良品率還達不到這么高，但具體數據未公開。
臺積電5nm工藝的測試芯片有兩種，一種是256Mb SRAM，單元面積包括25000平方納米的高電流版本、21000平方納米的高密度版本。
另一種綜合了SRAM、CPU/GPU邏輯單元、IO單元，面積占比分別為30％、60％、10％，總面積估計大約17.92平方毫米。
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