3D晶體管之父胡正明獲IEEE最高榮譽，他是臺積電前CTO，為摩爾定律續命十幾年
他還是中科院外籍院士，清華大學榮譽教授。
曉查 發自 凹非寺
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IEEE最高榮譽揭曉，華人科學家斬獲年度殊榮。
近日，國際電子電氣工程學會(IEEE)公布了2020年IEEE榮譽獎章獲得者，華人學者胡正明獲獎，他是歷史上第三位獲得該獎項的華人學者。
△ 胡正明（圖片來自IEEE）
胡正明獲獎原因是他“開發半導體模型并將其投入生產實踐，尤其是3D器件結構，使摩爾定律又持續了數十年”。摩爾也曾在2008年獲得過IEEE榮譽獎章。
胡正明于1999年開發出了FinFET，因此被稱為3D晶體管之父。這項發明被看做是50多年來半導體技術的重大轉變。
當晶體管的尺寸小于25納米時，傳統的平面場效應管的尺寸已經無法縮小。FinFET的出現將場效應管立體化，晶體管密度才能進一步加大，讓摩爾定律得以維持下去。
FinFET是現代納米電子半導體器件制造的基礎，現在7nm芯片使用的就是FinFET設計。
關于IEEE榮譽獎章
IEEE榮譽獎章（IEEE Medal of Honor），創立于1917年，每年僅授予一人，是國際電子電氣工程學會的最高榮譽，也是世界電氣電子工程學界的最高獎勵。
歷史獲得該獎章的知名人士還有晶體管發明者巴丁和信息論創始人香農。
此前僅有兩位華人獲得過該獎章，分別是貝爾實驗室研發部前主任卓以和（1994年）、臺積電前董事長張忠謀（2011年）。
今年的獎項計劃在5月15日在溫哥華舉辦“的IEEE愿景、創新和挑戰峰會”上的年度IEEE榮譽典禮上頒發。
胡正明簡介
胡正明1947年出生于北京，后移居臺灣，1968年畢業于臺灣大學電機工程系。此后赴美國留學，1973年獲加州大學伯克利分校博士學位。
自1976年以來，他一直是加州大學伯克利分校電氣工程和計算機系的教授。他還投身產業界，曾擔任半導體制造商安霸的董事會成員，后來于2001~2004年又擔任臺積電CTO。
在學術方面，胡正明總共撰寫了五本書，發表了900篇研究論文，并擁有100多項美國專利。
胡正明還是IEEE Fellow、美國國家工程院院士、中國科學院外籍院士，并且還是中國科學院微電子所、清華大學等院校的榮譽教授。
胡正明多次獲得過IEEE授予的榮譽獎項，2016年入選硅谷工程師名人堂，并在當年由美國總統奧巴馬授予白宮國家技術創新獎。
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